杏鑫- 官网代理,品牌保障!

Solitron SD11487 SiC半桥电源�？�

发布时间：2024-01-18 09:21:54     浏览：820

　　Solitron Devices SD11487是业界首款用于高可靠性应用的密封碳化硅 (SiC) 功率�？�。

Solitron SD11487 SiC半桥电源�？�

　　51mm x 30mm x 8mm 外形采用独特的密封封装形式，是市场上最小的密封高可靠性、高电压半桥产品。集成格式可最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低环路电感。用于功率输出级的 60 mil 引脚隔离在封装的一侧，以实现简单的电源总线，而用于控制信号的另一侧则隔离了 30 mil 引脚。

　　SD11487为半桥配置，带有两个1200V 12mΩ SiC MOSFET。该模块中还包括两个与MOSFET并联的续流1200V SiC肖特基二极管和一个集成NTC温度传感器。额定连续漏极电流为 95A。

　　该SD11487的工作温度为 -55°C 至 175°C，专为最苛刻的应用而设计，例如井下勘探;空间;和航空电子设备。密封铜封装与氮化铝直接键合铜基板相结合，可提供出色的导热性和外壳隔离性。集成的温度检测可实现高电平温度保护。

　　与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，并且随温度的变化最小。由于能量损耗和反向充电显著降低，因此效率水平高于硅，从而在接通和关断阶段产生更高的开关功率和更少的能量。结合高开关频率，这意味着更小的磁性元件，大大减轻了系统的重量和尺寸。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

推荐资讯

  • JANTX1N5968军级玻璃齐纳二极管Microsemi
    JANTX1N5968军级玻璃齐纳二极管Microsemi 2024-11-20 10:09:51

    Microsemi公司生产的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型号的5瓦特玻璃齐纳二极管是一系列高可靠性产品，适用于军事和商业应用，具有无空隙的密封玻璃封装和内部冶金键合，提供从3.3伏特到390伏特的广泛电压选择，标准公差为±5%，更紧密公差选项为±2%或±1%。这些二极管在-65°C至+175°C的温度范围内工作，能够耗散高达5瓦特的功率，具有优秀的电压调节能力和ESD抗性，且固有辐射硬度，适合极端环境下的应用。

  • Connor Winfield 7115,7125,7135表面贴装晶振5V
    Connor Winfield 7115,7125,7135表面贴装晶振5V 2024-09-02 09:40:51

    Connor Winfield的7115、7125和7135型号表面贴装晶体振荡器，采用5V HCMOS技术，频率范围1.8MHz至50MHz，工作温度0至70°C，具有宽频率公差和三状态启用/禁用功能，适用于精密时钟应用。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】