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    • Infineon英飞凌IPC100N04S5-1R2汽车级MOSFET

    发布时间：2024-07-17 08:55:42     浏览：2122

    　　英飞凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型MOSFET，隶属于OptiMOS? 5系列。该器件通过了AEC-Q101认证，确保其在汽车环境中的可靠性和稳定性。其主要特点包括极低的导通电阻(RDS(on))仅为1.2 mΩ，以及高达100 A的连续漏极电流(ID)，使其非常适合高效率和高性能的汽车系统设计。

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    　　主要特点：

    　　N沟道增强型模式：适用于正常电平操作。

    　　AEC-Q101认证：确保汽车级质量标准。

    　　低导通电阻：1.2 mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

    　　高连续漏极电流：100 A，支持高负载应用。

    　　MSL1等级：适用于260°C的回流焊接。

    　　宽工作温度范围：-55°C到+175°C，适应极端环境。

    　　环保：符合RoHS标准。

    　　100%压敏测试：确保产品质量。

    　　产品概要：

    　　漏源电压(VDS)：40 V

    　　最大导通电阻(RDS(on),max)：1.2 mΩ

    　　连续漏极电流(ID)：100 A

    　　封装类型：

    　　封装：PG-TDSON-8-34

    　　标识符：5N041R2

    　　最大额定值：

    　　持续漏极电流：100 A (在TC=25°C, VGS=10V时)

    　　脉冲漏极电流：400 A

    　　单次脉冲雪崩能量：480 mJ (在ID=50A时)

    　　漏源电压：40 V

    　　栅源电压：±20 V

    　　功耗：150 W (在TC=25℃时)

    　　工作及贮藏温度：-55°C到+175°C

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