杏鑫- 官网代理,品牌保障!

Solitron SMF178 500V N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-08-14 09:06:33     浏览：1276

　　Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n沟道功率MOSFET，专为需要高电压和高电流处理能力的应用而设计。该器件采用了先进的半导体技术，提供了出色的电气特性和可靠性，使其成为各种工业和消费电子应用中的理想选择。

Solitron SMF178 500V N沟道功率MOSFET

　　主要特性

　　漏极电流(I_D)：23A。

　　导通电阻(R_DS(on))：260mΩ。

　　快恢复二极管：内置的快恢复二极管提高了开关速度，减少了开关损耗。

　　雪崩额定：具备雪崩能力，增强了在极端电气条件下的可靠性。

　　TO-254 密封封装：坚固的封装设计。

　　背面隔离：提供额外的电气隔离。

　　可用 JAN/TX, JAN/TXV 筛�。悍涎细竦纳秆”曜肌�

　　绝对最大额定值

　　漏-源电压 (V_DS)：500V。

　　栅-源电压 (V_GS)：±30V(脉冲)。

　　漏极电流(I_DS，连续)：23A。

　　功率耗散(P_D)：280W。

　　工作结及储存温度范围(T_J, T_STG)：-55°C~150°C。

　　电气特性

　　漏-源击穿电压 (V(BR)DSS)：500V(典型。

　　栅极开启电压 (V_GS(th))：2 ~ 5V。

　　漏-源关态电流 (I_DSS)：最大100?A(V_DS=400V，V_GS=0V)，最大250?A(V_DS=400V，V_GS=0V，T_J=125°C。

　　栅-源漏电流 (I_GSS)：最大100nA。

　　全电荷(Q_g)：最大150nC。

　　时间特性：转换时间非常短(开通时间t_on最大100ns, 关断时间t_off最大250ns)。

　　热阻(R_thJC)：最大0.445°C/W。

　　内部二极管特性

　　二极管正向电压 (V_SD)：最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V)，确保低正向电压降。

　　二极管反向恢复时间 (t_rr)：典型300ns，提高了二极管的恢复速度。

　　Solitron SMF178 500V n沟道功率MOSFET 是一款高性能的半导体器件，适用于各种需要高电压和高电流处理能力的应用。其出色的电气特性、快速切换能力和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是其他高功率应用，SMF178 都能提供卓越的性能和稳定性。

推荐资讯

  • Vishay RH005R1000FE02工业电源线绕电阻器
    Vishay RH005R1000FE02工业电源线绕电阻器 2024-02-26 10:36:05

    Vishay RH005R1000FE02是一款工业级电源线圈绕式电阻器。这种电阻器通常用于电源电路中，用来限制或调节电流。它的规格为1000欧姆，适合在工业环境下使用。由于Vishay是知名的电子元件制造商，因此这款绕式电阻器具有高质量和可靠性，适用于各种工业电子设备和电源系统中。

  • MICRON DDR4 内存
    MICRON DDR4 内存 2021-06-04 17:07:48

    MICRON? DDR4内存是全新一代的存储空间标准规范。2011年1月4日，三星电子完成了其在历史上第一款DDR4存储空间，MICRON DDR4和DDR3有三大区别：16位预取机制（DDR3为8位），在同样内核频率下，理论研究速度是DDR3的两倍；传输数据标准规范更加安全可靠，数据安全可靠性进一步提升，工作中电压降为1.2V，更环保节能。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】