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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二进制MOS电容芯片
发布时间：2025-03-18 09:14:46 浏览：445
Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二进制 MOS 电容芯片，每片芯片包含五个不同容量的电容，以二进制增量排列，为用户提供了多种容量选择。这些芯片采用 Vishay Electro-Films 先进的薄膜设备和制造技术生产，并经过 100% 电气测试和目视检查，符合 MIL-STD-883 标准。
特性
可键合性：支持线键合。
用户容量选择：芯片上有五个电容，容量以二进制增量排列。
芯片尺寸：
CBB：0.019" x 0.048"(0402 封装)
CBC：0.044" x 0.044"(0404 封装)
容量范围：CBB 最高 31 pF，CBC 最高 93 pF。
介质材料：二氧化硅(Silicon Dioxide)。
低介质损耗。
基底材料：半导体硅，背面镀金。
应用场景
CBB 和 CBC 二进制 MOS 多值电容芯片设计用于通过常规线键合技术添加或减去电容，以调整混合电路。
电气规格
| 参数 | CBB | CBC | 单位 |
| 总容量 | 最高 31 pF | 最高 93 pF | pF |
| 容量值 | 1, 2, 4, 8, 16 pF | 3, 6, 12, 24, 48 pF | pF |
| 容差 | ±10% | ±10% | % |
| 直流工作电压 | 75 V | 75 V | V |
| 最大工作电压 | 75 V | 75 V | V |
| 峰值电压（+25°C） | 1.5 x 工作电压 | 1.5 x 工作电压 | V |
| 损耗因数（1 kHz, 1 VRMS, +25°C） | 0.10% | 0.10% | % |
| Q 值（1 mHz, 50 mVRMS, +25°C） | 最小 1000 | 最小 1000 | - |
| 温度系数（-55°C 至 +150°C） | +15 ± 25 ppm/°C | +15 ± 25 ppm/°C | ppm/°C |
| 绝缘电阻（工作电压，+25°C） | 最小 10^9 Ω | 最小 10^9 Ω | Ω |
| 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C | -55°C 至 +150°C | °C |
机械规格
| 参数 | CBB | CBC |
| 芯片尺寸 | 0.019" x 0.048" ± 0.002"（0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm） | 0.044" x 0.044" ± 0.002"（1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm） |
| 芯片厚度 | 0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm） | 0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm） |
| 芯片基底材料 | 半导体硅 | 半导体硅 |
| 介质材料 | 二氧化硅（MOS） | 二氧化硅（MOS） |
| 键合垫 | 最小 10 k? 铝（可选金） | 最小 10 k? 铝（可选金） |
| 背面材料 | 最小 3 k? 金 | 最小 3 k? 金 |
订购指南：
部分型号：
CBB1153100BKWS
CBB3100BKAHWS
CBB3100BKGKWS
CBB6200BKAHWS
CBC6200BKAHWS
CBC6200BKGHWS
CBC9300BKAHWS
CBC9300BKGHWS
CBC9300BKGKWS
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