杏鑫- 官网代理,品牌保障!

    • Vishay 510DX227M050DG2DE3铝电解电容器

    发布时间：2025-08-05 08:58:32     浏览：309

    　　Vishay 510DX系列铝电容器具有+125 °C，微型，径向引线，适用于钽箔替代应用，低直流泄漏电流。

    Vishay 510DX系列铝电容器

    　　关键特性：

    　　低漏电流、长寿命、稳定性高

    　　电容范围：1μF至6800μF(±20%容差)

    　　额定电压：6.3V至63V(支持浪涌电压，如63V型号浪涌达79V)

    　　可选2或3引脚(直径≥12.5mm时支持第三引脚)

    　　封装尺寸：直径0.236"~0.709"(6.0~18.0mm)，长度0.433"~1.417"(11.0~36.0mm)

    　　应用场景

    　　高温环境(如汽车电子、工业电源)

    　　高频开关电源(利用低ESR特性)

    　　替代钽电容的场合(需高可靠性设计)

    　　型号

    510DX107M025CC2D510DX157M035CD2D510DX277M025DM5D510DX477M035DK2D
    510DX107M035CC2D510DX158M025ER2D510DX337M025DG2D510DX534
    510DX107M035CC4D510DX187M040DM5D510DX338M010ER5J510DX535
    510DX108M012DS5J510DX187M050CG5D510DX338M010ER5JTP510DX555
    510DX108M050ER2D510DX187M050CG5DHS510DX338M010ER5O510DX566M025BB5D
    510DX108M063FR2D510DX227M010BD2D510DX397M016CG5D510DX567M050DT5D
    510DX126M063CC5D510DX227M050DG2D510DX397M016CG5DHS510DX567M050DT5DTP
    510DX127M050CD5D510DX227M050DG5O510DX397M063EK2D510DX567M050EK2D
    510DX127M063CG2D510DX227M050DG5OTP510DX476M063BD2D510DX567M063EN2D
    510DX157M016BD2D510DX276M063BB5DTP510DX476M063CC2D510DX567M063EN5D
    510DX567M063EN5DTP510DX686M025CD5D510DX686M050BD2D510DX686M050BD5D

    更多vishay相关产品信息可咨询立维创展。

    推荐资讯

    • TI 德州仪器低噪声精密运算放大器
      TI 德州仪器低噪声精密运算放大器 2021-05-17 17:09:08

      TI 德州仪器?提供了种类繁多的精密运算放大器，以满足汽车、工业、仪器仪表和航天应用的需要。我们的设备是用先进的技术制造的，可以实现?V电平偏置电压，nV电平漂移，超低噪声性能。

    • Solitron SMF473 400V N沟道功率MOSFET
      Solitron SMF473 400V N沟道功率MOSFET 2024-09-10 09:10:21

      Solitron SMF473 是一款400V N沟道功率MOSFET，专为高功率应用设计，具有低R DS(on)（400V时40mΩ，10V时22mΩ）、高耐压（400V）、高输入和输出电容（C iss 2900pF，C oss 3900pF）以及低反向恢复电荷（Q rr 22nC）。其连续漏极电流ID为23A，脉冲漏极电流IDM为92A，最大功率耗散P为250W，线性降额因子2W/°C，工作温度范围-55°C至150°C。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】