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      • IRHNS597Z60单P沟道MOSFET

      发布于：2024-04-22 14:57:32

      品牌名称：IR HiRel

      • 订货周期：3-4周
      • 立即订购

      重要参数：

      ID (@25°C)   max:-56 A

      ID (@100°C)   max:-56 A

      Q:240 nC

      RDS (on) (@25°C)   max:13 m?

      VBRDSS   min:-30 V

      VF   max:-5 V

      • 产品详情

      IRHNS597Z60是抗辐射单通道P沟道MOSFET，-30V，56A，特点为单粒子效应强化、低RDS(on)、质子耐受、简单驱动、密封陶瓷封装、轻巧，适用于DC-DC转换器、电机驱动、配电电路、负载开关、电池充电。具ESD等级3A，TID级别100krad或300krad，符合MIL-STD-750标准，JANS筛选级别。

      Part NumberRadiation LevelRDS(on)lDQPL Part Number
      IRHNS597Z60100 kRads(Si)0.0132-56A*JANSR2N7523U2A
      IRHNS593Z60300 kRads(Si)0.0132-56A*JANSF2N7523U2A


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